| Número da peça do fabricante | MT47H512M4EB-25E:C |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de Produto | Memória |
| Quantidade disponível | 122840 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | MT47H512M4EB-25E:C.pdf |
| Número da peça | MT47H512M4EB-25E:C |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de Memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
| Freqüência do relógio | 400MHz |
| Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página | 15ns |
| Tempo de acesso | 400ps |
| Interface de Memória | Parallel |
| Tensão - Fornecimento | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 60-TFBGA |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 60-FBGA (9x11.5) |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | MT47H512M4EB-25E:C |
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