| Número da peça do fabricante | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Quantidade disponível | 9740 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | MT3S113TU,LF.pdf |
| Número da peça | MT3S113TU,LF |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 5.3V |
| Frequência - Transição | 11.2GHz |
| Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Ganho | 12.5dB |
| Power - Max | 900mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | UFM |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | MT3S113TU,LF |
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