Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPP65R125C7XKSA1
Número da peça do fabricanteIPP65R125C7XKSA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível82700 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 650V 18A TO220
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados IPP65R125C7XKSA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça IPP65R125C7XKSA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 400V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 101W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO-220-3
Pacote / Caso TO-220-3
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição IPP65R125C7XKSA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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