Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPD35N12S3L24ATMA1
Número da peça do fabricanteIPD35N12S3L24ATMA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível141740 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados IPD35N12S3L24ATMA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça IPD35N12S3L24ATMA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 120V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 71W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição IPD35N12S3L24ATMA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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