Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMN2005UFG-13
Número da peça do fabricanteDMN2005UFG-13
FabricanteDiodes Incorporated
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível123920 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados DMN2005UFG-13.pdf

Atributos do produto

Número da peça DMN2005UFG-13
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 18.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6495pF @ 10V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.05W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerDI3333-8
Pacote / Caso 8-PowerWDFN
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição DMN2005UFG-13

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Diodes Incorporated Distribuidor

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