Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN2005UFG-13
Numero di parte del produttoreDMN2005UFG-13
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile123920 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN2005UFG-13.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN2005UFG-13
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164nC @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6495pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.05W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN2005UFG-13

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Diodes Incorporated Distributore

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