| Número da peça do fabricante | C3M0120090D |
|---|---|
| Fabricante | Cree/Wolfspeed |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 112940 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | C3M0120090D.pdf |
| Número da peça | C3M0120090D |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 900V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 97W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247-3 |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | C3M0120090D |
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