Toshiba Memory America, Inc. 살수 장치 www.qycomp.com TC58BVG2S0HBAI4
제조업체 부품 번호TC58BVG2S0HBAI4
제조사Toshiba Memory America, Inc.
제품 카테고리메모리
사용 가능한 수량123890 Pieces
단가이메일로 견적 ([email protected])
기술IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
생산 상태 (수명주기)In Production
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 TC58BVG2S0HBAI4.pdf

제품 속성

부품 번호 TC58BVG2S0HBAI4
제조업체 리드 타임 6-8 weeks
조건 New & Unused, Original Sealed
부품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
과학 기술 FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 25ns
액세스 시간 25ns
메모리 인터페이스 Parallel
전압 - 공급 2.7 V ~ 3.6 V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 63-TFBGA (9x11)
무게 0.001 KG
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