| 製造業者識別番号 | TPW1R306PL,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 136600 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPW1R306PL,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPW1R306PL,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 260A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.29 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 91nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8100pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DSOP Advance |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPW1R306PL,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPW1R306PL,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPW1R306PL,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPW1R306PL,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SA1586-Y,LF, TMBT3906,LM, 2SA1162-Y,LF, 2SA1588-GR,LF, 2SC4738-BL(TE85L,F, 2SC2713-GR,LF, 2SA1163-GR,LF, 2SA2154CT-GR,L3F, 2SA1163-BL,LF, 2SC4944-GR(TE85L,F SIRC10DP-T1-GE3, CSD22205LT, RQ7E110AJTCR, NVMS5P02R2G, SISA24DN-T1-GE3, SQS423EN-T1_GE3, TSM038N04LCP ROG, BUK7219-55A,118, BUK9215-55A,118, FDD9410-F085.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。