| 製造業者識別番号 | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 85950 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPN7R506NH,L1Q.pdf |
| 部品番号 | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TPN7R506NH,L1Q |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TPN7R506NH,L1Q, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TPN7R506NH,L1Q, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TPN7R506NH,L1Q, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF5A3.6FU(TE85L,F), DF5A6.2CFU(TE85L,F, DF5A6.2FU(TE85L,F), DF10G5M4N,LF, DF2S30CT,L3F, DF6F6.8MTU,LF, DF10G7M1N,LF, DF2S8.2FS,L3M, DF2B7ACT,L3F, DF2S6M4CT,L3F 2SK3019-TP, FDG330P, AOD242, DMN33D8LT-13, DMN2550UFA-7B, DMP32D5LFA-7B, RUU002N05T106, FDD4685-F085, RE1J002YNTCL, RQ3E080BNTB.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH,L1Q 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。