| 製造業者識別番号 | STW35N60DM2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 471365 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 28A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | STW35N60DM2.pdf |
| 部品番号 | STW35N60DM2 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2400pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 210W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | STW35N60DM2 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 STW35N60DM2, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 STW35N60DM2, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます STW35N60DM2, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 STMicroelectronics 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます STMicroelectronics そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった STGIB8CH60TS-L, STGIPS14K60, STGIPS14K60T, STGIPS14K60T-H, STGIPS20C60-H, STGIPL20K60, STGIPS20C60, STGIPL30C60-H, STGIPL30C60, STGIPS40W60L1 SI7102DN-T1-E3, SI4425BDY-T1-GE3, IRF40DM229, IPSA70R600P7SAKMA1, IPS70R600P7SAKMA1, BUK9606-55B,118, BUK964R4-40B,118, IPS80R2K0P7AKMA1, IPU80R2K0P7AKMA1, PSMN2R8-40BS,118.
購入 STMicroelectronics STW35N60DM2 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。