| 製造業者識別番号 | SSM6K202FE,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 155480 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM6K202FE,LF.pdf |
| 部品番号 | SSM6K202FE,LF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 500mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 (1.6x1.6) |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM6K202FE,LF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM6K202FE,LF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM6K202FE,LF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM6K202FE,LF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SC2229-O(T6SAN2FM, 2SC2229-O(T6SHP1FM, 2SC2229-O(TE6,F,M), 2SC2229-Y(MIT,F,M), 2SC2229-Y(MIT1,F,M, 2SC2229-Y(SAN2,F,M, 2SC2229-Y(SHP,F,M), 2SC2229-Y(SHP1,F,M, 2SC2229-Y(T6MIT1FM, 2SC2229-Y(T6MITIFM FDMA86251, SIR401DP-T1-GE3, IPD90N04S404ATMA1, FDS86106, BSC0902NSATMA1, LND150N8-G, CSD18534Q5A, CSD18504Q5A, SQJ486EP-T1_GE3, ZXMP3A16GTA.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。