| 製造業者識別番号 | SSM6J216FE,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 458585 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM6J216FE,LF.pdf |
| 部品番号 | SSM6J216FE,LF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1040pF @ 12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM6J216FE,LF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM6J216FE,LF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM6J216FE,LF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM6J216FE,LF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった TB6605FTG,EL, TB62216FNG,C8,EL, TB6551FAG,C,8,EL, TB6614FNG,C,EL, TB67S101AFTG,EL, TB67S179FTG,EL, TC78S121FTG,EL, TC78S122FTG,EL, TB6634FNG,C,8,EL, TB67H400AFNG,EL SI4497DY-T1-GE3, CSD25404Q3T, FDS6681Z, SI7102DN-T1-GE3, DN2625K4-G, SI7852ADP-T1-GE3, SPD50P03LGBTMA1, FDMC8360L, STB60NF06LT4, FDS5670.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。