| 製造業者識別番号 | SI4384DY-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 139280 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI4384DY-T1-E3.pdf |
| 部品番号 | SI4384DY-T1-E3 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.47W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SI4384DY-T1-E3 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SI4384DY-T1-E3, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SI4384DY-T1-E3, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SI4384DY-T1-E3, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA0805Y682JXCBC31G, K104Z10Y5VF5TL2, K151K15X7RF5TH5, GA0402Y682JXAAP31G, GA0402Y682JXJAP31G, GA0402Y682JXXAP31G, GA0805A331JXEBR31G, GA0805A391JXEBR31G, GA0805A5R6DXABP31G, GA0805A5R6DXBBP31G FDD13AN06A0, IRFH5210TRPBF, STL7N60M2, DMT10H010LPS-13, SI7157DP-T1-GE3, FDS3672, SI7454DDP-T1-GE3, FDMS86520, SQJ422EP-T1_GE3, FDS8840NZ.
購入 Vishay Siliconix SI4384DY-T1-E3 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。