| 製造業者識別番号 | R1LV0216BSB-5SI#S1 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 利用可能な数量 | 137650 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | R1LV0216BSB-5SI#S1.pdf |
| 部品番号 | R1LV0216BSB-5SI#S1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | SRAM |
| 技術 | SRAM |
| メモリー容量 | 2Mb (128K x 16) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 55ns |
| アクセス時間 | 55ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 44-TSOP II |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | R1LV0216BSB-5SI#S1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 R1LV0216BSB-5SI#S1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 R1LV0216BSB-5SI#S1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます R1LV0216BSB-5SI#S1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Renesas Electronics America 全シリーズ メモリ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Renesas Electronics America そして メモリ 私たちから。 といった DF3064BF25V, UPD70F3762GC-UEU-AX, R5F5631EDDFP#V0, R5F5630EDDFC#V0, R5F3650NDFA#U0, R4F2462VFQ34V, R5F564MFDDFB#V1, DF3069RF25V, R5F564MLCDFP#V1, M30620FCPGP#U9C MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR, MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR, MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR, MT29E256G08CECBBH6-6:B TR, MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR, MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR, MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR, MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR, MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR, MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR.
購入 Renesas Electronics America R1LV0216BSB-5SI#S1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。