製造業者識別番号 | PMGD8000LN,115 |
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メーカー | NXP USA Inc. |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 114190 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | PMGD8000LN,115.pdf |
部品番号 | PMGD8000LN,115 |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 125mA |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 18.5pF @ 5V |
電力 - 最大 | 200mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSSOP |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | PMGD8000LN,115 |
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