ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com NDD60N900U1-1G
製造業者識別番号NDD60N900U1-1G
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量42440 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード NDD60N900U1-1G.pdf

製品の属性

部品番号 NDD60N900U1-1G
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12nC @ 10V
Vgs(最大) ±25V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 360pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 74W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 NDD60N900U1-1G

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