製造業者識別番号 | IS43DR86400E-3DBLI |
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メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
製品カテゴリ | メモリ |
利用可能な数量 | 162460 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | IS43DR86400E-3DBLI.pdf |
部品番号 | IS43DR86400E-3DBLI |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
メモリの種類 | Volatile |
メモリフォーマット | DRAM |
技術 | SDRAM - DDR2 |
メモリー容量 | 512Mb (64M x 8) |
クロック周波数 | 333MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
アクセス時間 | 450ns |
メモリインターフェイス | Parallel |
電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.9 V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
サプライヤデバイスパッケージ | 60-TWBGA (8x10.5) |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | IS43DR86400E-3DBLI |
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