| 製造業者識別番号 | IRFB17N20D |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 166430 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFB17N20D.pdf |
| 部品番号 | IRFB17N20D |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 9.8A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFB17N20D |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFB17N20D, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFB17N20D, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFB17N20D, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRS4426STRPBF, IRS4428STRPBF, IRS2807DSPBF, IR11662STRPBF, IR7106SPBF, IRS2106STRPBF, IRS21091STRPBF, IRS21094STRPBF, AUIRS2123STR, AUIRS2124STR SI7738DP-T1-GE3, SUD40N08-16-E3, SI7172DP-T1-GE3, SIR470DP-T1-GE3, IRFS3306TRLPBF, SIR804DP-T1-GE3, IPD320N20N3GATMA1, SIR872DP-T1-GE3, STD2HNK60Z-1, SI7434DP-T1-GE3.
購入 Infineon Technologies IRFB17N20D 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。