Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com IPT60R102G7XTMA1
製造業者識別番号IPT60R102G7XTMA1
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量126630 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPT60R102G7XTMA1.pdf

製品の属性

部品番号 IPT60R102G7XTMA1
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 390µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 34nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1320pF @ 400V
FET機能 -
消費電力(最大) 141W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 IPT60R102G7XTMA1

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