| 製造業者識別番号 | IPN60R3K4CEATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 71420 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPN60R3K4CEATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPN60R3K4CEATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 40µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.6nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 93pF @ 100V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 5W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223 |
| パッケージ/ケース | SOT-223-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPN60R3K4CEATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPN60R3K4CEATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPN60R3K4CEATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPN60R3K4CEATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRS2336JPBF, IR2135PBF, IR21366SPBF, IR21362PBF, IRS26310DJPBF, IRS2608DSPBF, IRS21281SPBF, IRS21853SPBF, IRS21953SPBF, IRS21952SPBF FDN5630, AON7522E, SI2312BDS-T1-GE3, SI2312BDS-T1-E3, ZXM61N02FTA, ZXM61N03FTA, ZXMN3A01FTA, SSM3K2615R,LF, DMG3414U-7, SSM6J507NU,LF.
購入 Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。