| 製造業者識別番号 | IPD90N10S4L06ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 163770 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH TO252-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD90N10S4L06ATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPD90N10S4L06ATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.1V @ 90µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 98nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6250pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 136W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPD90N10S4L06ATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPD90N10S4L06ATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPD90N10S4L06ATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPD90N10S4L06ATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BC848BE6433HTMA1, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC849CE6327HTSA1, SMBT3904E6433HTMA1, BC850CE6327HTSA1, BC850BE6327HTSA1, BCW60BE6327HTSA1, BCX70GE6327HTSA1, BCX70HE6433HTMA1 SISS98DN-T1-GE3, SQJA04EP-T1_GE3, SI4431CDY-T1-E3, BUK7227-100B,118, SQJA82EP-T1_GE3, FDD86569-F085, STD64N4F6AG, FQD7N30TM, SI7613DN-T1-GE3, NVTFS5C453NLWFTAG.
購入 Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。