| 製造業者識別番号 | IPB036N12N3GATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 133950 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB036N12N3GATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPB036N12N3GATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 120V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 270µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 211nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13800pF @ 60V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPB036N12N3GATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPB036N12N3GATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPB036N12N3GATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPB036N12N3GATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ICE2B165FKLA1, ICE2B365FKLA1, ICE2B765I, ICE2B765P2BKSA1, ICE2BS01G, ICE3A0365FKLA1, ICE3A0565FKLA1, ICE3A0565Z, ICE3A1065, ICE3A1065L TPH6400ENH,L1Q, CSD17506Q5A, FDS6575, ATP301-TL-H, IRF7842TRPBF, IRLR3636TRPBF, SI7336ADP-T1-GE3, SI7336ADP-T1-E3, SI7113DN-T1-GE3, SI7818DN-T1-E3.
購入 Infineon Technologies IPB036N12N3GATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。