Global Power Technologies Group 配給業者 www.qycomp.com GP2M008A060PGH
製造業者識別番号GP2M008A060PGH
メーカーGlobal Power Technologies Group
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量12450 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード GP2M008A060PGH.pdf

製品の属性

部品番号 GP2M008A060PGH
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1063pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 120W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 GP2M008A060PGH

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