| 製造業者識別番号 | FDP032N08B-F102 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 37420 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDP032N08B-F102.pdf |
| 部品番号 | FDP032N08B-F102 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 144nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10965pF @ 40V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 263W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDP032N08B-F102 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDP032N08B-F102, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDP032N08B-F102, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDP032N08B-F102, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった SMUN5233DW1T1G, NSVMUN5332DW1T1G, NSI50010YT1G, NSI45025ZT1G, NCP380HMU20AATBG, NCP380HMU05AATBG, NCP380LMU05AATBG, NSVC2050JBT3G, NSVC2020JBT3G, NCP380LSN10AAT1G STL8N6LF6AG, CSD18513Q5A, SI4114DY-T1-GE3, NVD5863NLT4G-VF01, STD5NK40ZT4, MCP87022T-U/MF, STD26P3LLH6, FDMS7570S, DMTH6009LK3-13, RCD100N19TL.
購入 ON Semiconductor FDP032N08B-F102 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。