Diodes Incorporated 配給業者 www.qycomp.com DMN30H4D0LFDE-7
製造業者識別番号DMN30H4D0LFDE-7
メーカーDiodes Incorporated
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量24050 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMN30H4D0LFDE-7.pdf

製品の属性

部品番号 DMN30H4D0LFDE-7
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 550mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.8V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.6nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 187.3pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 630mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 DMN30H4D0LFDE-7

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