| Numero di parte del produttore | VWM200-01P |
|---|---|
| fabbricante | IXYS |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 176840 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | VWM200-01P.pdf |
| Numero di parte | VWM200-01P |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | V2-PAK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | VWM200-01P |
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