Vishay Semiconductor Diodes Division Distributore www.qycomp.com VS-GB200TH120N
Numero di parte del produttoreVS-GB200TH120N
fabbricanteVishay Semiconductor Diodes Division
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile79050 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati VS-GB200TH120N.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte VS-GB200TH120N
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 360A
Potenza - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore Double INT-A-PAK
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio VS-GB200TH120N

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Vishay Semiconductor Diodes Division Distributore

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