Vishay Semiconductor Diodes Division Verteiler www.qycomp.com VS-GB200TH120N
Hersteller-TeilenummerVS-GB200TH120N
HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Module
verfügbare Anzahl79050 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungIGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen VS-GB200TH120N.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer VS-GB200TH120N
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 360A
Leistung max 1136W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil VS-GB200TH120N

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Vishay Semiconductor Diodes Division Verteiler

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