Taiwan Semiconductor Corporation Distributore www.qycomp.com TSM120N06LCR RLG
Numero di parte del produttoreTSM120N06LCR RLG
fabbricanteTaiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile60390 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TSM120N06LCR RLG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TSM120N06LCR RLG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2116pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TSM120N06LCR RLG

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Taiwan Semiconductor Corporation Distributore

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