Transphorm Distributore www.qycomp.com TP65H035WS
Numero di parte del produttoreTP65H035WS
fabbricanteTransphorm
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile35820 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
Descrizione650 V 46.5 CASCODE GAN FET
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TP65H035WS.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TP65H035WS
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TP65H035WS

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