Numero di parte del produttore | SI3585DV-T1-GE3 |
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fabbricante | Vishay Siliconix |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 168280 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SI3585DV-T1-GE3.pdf |
Numero di parte | SI3585DV-T1-GE3 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 830mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | SI3585DV-T1-GE3 |
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