Rohm Semiconductor Distributore www.qycomp.com SCT3120ALGC11
Numero di parte del produttoreSCT3120ALGC11
fabbricanteRohm Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile78760 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET NCH 650V 21A TO247N
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SCT3120ALGC11.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SCT3120ALGC11
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V
Vgs (massimo) +22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 103W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SCT3120ALGC11

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