Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com RQK0607AQDQS#H1
Numero di parte del produttoreRQK0607AQDQS#H1
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile134720 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RQK0607AQDQS#H1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RQK0607AQDQS#H1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore UPAK
Pacchetto / caso TO-243AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RQK0607AQDQS#H1

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