Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com RN1966FE(TE85L,F)
Numero di parte del produttoreRN1966FE(TE85L,F)
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Quantità disponibile148200 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RN1966FE(TE85L,F).pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RN1966FE(TE85L,F)
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RN1966FE(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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