Numero di parte del produttore | RN1102MFV,L3F |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati |
Quantità disponibile | 75190 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | RN1102MFV,L3F.pdf |
Numero di parte | RN1102MFV,L3F |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | RN1102MFV,L3F |
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