Nexperia USA Inc. Distributore www.qycomp.com PMV130ENEA/DG/B2R
Numero di parte del produttorePMV130ENEA/DG/B2R
fabbricanteNexperia USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile90950 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte PMV130ENEA/DG/B2R
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio PMV130ENEA/DG/B2R

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