Nexperia USA Inc. Distributore www.qycomp.com PHD38N02LT,118
Numero di parte del produttorePHD38N02LT,118
fabbricanteNexperia USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile161770 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati PHD38N02LT,118.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte PHD38N02LT,118
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1nC @ 5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 57.6W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio PHD38N02LT,118

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