Numero di parte del produttore | MT47H512M4THN-25E:M |
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fabbricante | Micron Technology Inc. |
Categoria di prodotto | Memoria |
Quantità disponibile | 18810 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MT47H512M4THN-25E:M.pdf |
Numero di parte | MT47H512M4THN-25E:M |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (512M x 4) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.9 V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MT47H512M4THN-25E:M |
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