| Numero di parte del produttore | MSRT200160(A)D |
|---|---|
| fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Array |
| Quantità disponibile | 85730 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MSRT200160(A)D.pdf |
| Numero di parte | MSRT200160(A)D |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1600V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | MSRT200160(A)D |
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