Numero di parte del produttore | IRG7CH50K10EF |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Quantità disponibile | 74030 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IGBT CHIP WAFER |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | IRG7CH50K10EF.pdf |
Numero di parte | IRG7CH50K10EF |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 170nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/280ns |
Condizione di test | 600V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | IRG7CH50K10EF |
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