Numero di parte del produttore | IPG20N06S4L26AATMA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 169500 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
Numero di parte | IPG20N06S4L26AATMA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
Potenza - Max | 33W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | IPG20N06S4L26AATMA1 |
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