Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPB027N10N5ATMA1
Numero di parte del produttoreIPB027N10N5ATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile94540 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPB027N10N5ATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPB027N10N5ATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 184µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPB027N10N5ATMA1

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