ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com HGTD3N60C3S9A
Numero di parte del produttoreHGTD3N60C3S9A
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile117780 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 600V 6A 33W TO252AA
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati HGTD3N60C3S9A.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte HGTD3N60C3S9A
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Potenza - Max 33W
Cambiare energia 85µJ (on), 245µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 10.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -
Condizione di test 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio HGTD3N60C3S9A

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