ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com HGT1S10N120BNS
Numero di parte del produttoreHGT1S10N120BNS
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile76480 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati HGT1S10N120BNS.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte HGT1S10N120BNS
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max 298W
Cambiare energia 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/165ns
Condizione di test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio HGT1S10N120BNS

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