GeneSiC Semiconductor Distributore www.qycomp.com GA20JT12-263
Numero di parte del produttoreGA20JT12-263
fabbricanteGeneSiC Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile35520 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS SJT 1200V 45A
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati GA20JT12-263.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte GA20JT12-263
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 282W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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GeneSiC Semiconductor Distributore

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