ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDP4D5N10C
Numero di parte del produttoreFDP4D5N10C
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile26430 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneFET ENGR DEV-NOT REL
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDP4D5N10C.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDP4D5N10C
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5065pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio FDP4D5N10C

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