| Numero di parte del produttore | DMN2013UFX-7 |
|---|---|
| fabbricante | Diodes Incorporated |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 59690 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | DMN2013UFX-7.pdf |
| Numero di parte | DMN2013UFX-7 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
| Potenza - Max | 780mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | W-DFN5020-6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | DMN2013UFX-7 |
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