Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN2013UFX-7
Numero di parte del produttoreDMN2013UFX-7
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile59690 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN2013UFX-7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN2013UFX-7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V
Potenza - Max 780mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN5020-6
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN2013UFX-7

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Diodes Incorporated Distributore

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