| Numero di parte del produttore | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
| Quantità disponibile | 130380 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf |
| Numero di parte | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | 2 Independent |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Potenza - Max | 375W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
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