Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com DD1200S12H4HOSA1
Numero di parte del produttoreDD1200S12H4HOSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile162000 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOD DIODE 1200A IHMB130-2
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DD1200S12H4HOSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DD1200S12H4HOSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione 2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1200A
Potenza - Max 1200000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
Corrente - Limite del collettore (max) -
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce -
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DD1200S12H4HOSA1

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Infineon Technologies Distributore

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